beat·365-罗姆PCIM Asia重磅出击：新一代SiC与GaN方案引领功率密度革命

跟着电动汽车、数据中央及工业体系对于能效与功率密度的要求日趋严苛，功率半导体技能正之前所未有的速率迭代立异。于近日落幕的PCIM Asia Shanghai展上，罗姆（ROHM）以车载与工业运用为焦点，集中展示了其于前沿功率半导体范畴的最新结果。

从采用立异封装、显著晋升机能的下一代SiC功率模块，到致力在节能与小型的EcoGaN™完备方案，再到笼罩广泛的硅基器件组合，罗姆正经由过程一系列高密度、高效率的解决方案，为将来的电力电子运用描绘出清楚的蓝图。展会现场，罗姆的工程师给《国际电子商情》先容了这次的重磅展品和解决方案。DM4esmc

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图1：罗姆2025PCIMShanghai展台DM4esmc

本年，罗姆发布了两款SiC（碳化硅）模块。据罗姆的工程师先容，这些模块采用新的封装，内部搭载了罗姆第四代SiCMOS——二合一SiC模块DOT-247及4in1和6in1布局SiC塑封型模块HSDIP20。此中，DOT-247合用在光伏逆变器、UPS及半导体继电器等工业装备的运用场景，HSDIP20合用在电动汽车车载充电器的PFC（功率因数校订）及LLC谐振转换器等运用。DM4esmc

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图2：罗姆SiC塑封型模块HSDIP20（上左）及二合一SiC模块DOT-247（上右）DM4esmc

DOT-247由两个通例TO-247封装于一路，采用罗姆自有的内部布局，实现了更低导通电阻。工程师注释说，通例的TO-247方案于现实利用时采用桥式电路，一般会有两个器械来完成这个桥式，于整个历程中会有一些错误谬误，其回路里的杂散参数比力年夜。杂散参数年夜，象征着装备或者体系于事情时会孕育发生更多没必要要的电磁滋扰旌旗灯号，可能对于自身或者其他电子装备造成负面影响。DM4esmc

将两个TO-247封装毗连的怪异布局，让其PCB板上的电流路径小了，杂散参数可从27纳赫降低到13纳赫，对于在SiC开发速率及损耗方面都有晋升。同时，这类优化封装布局的热阻也比力小，于不异功率损耗环境下，DOT-247封装的热阻比TO-247封装降低约15%，电感降低50%。DM4esmc

DOT-247有半桥及共源两种拓扑布局，可适配NPC电路及DC-DC转换器等多种电路配置。于DOT-247的产物声势方面，包括750V耐压的四款机型及1200V耐压的四款机型。据吐露，DOT-247新品自2025年9月最先暂月产1万个，其样品价格为2万日元/个（不含税）。同时，切合汽车电子产物靠得住性尺度AEC-Q101的产物规划在2025年10月最先提供样品。DM4esmc

HSDIP20内部集成为了4或者6枚形状尺寸同样的SiCMOSFET，该模块的总体功率密度较高。因为HSDIP20内置散热机能优秀的绝缘基板，以是它可以有用按捺芯片的温升，该机能包管其能用很小的封装，便可应答年夜电流的需求。DM4esmc

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图3：6in1布局SiC塑封型模块HSDIP20DM4esmc

例如，不异前提下（25W事情时），于OBC经常使用的PFC电路中，利用1枚6in1布局的HSDIP20模块要比利用6枚顶部散热型分立器件的温度约低38℃。罗姆方面还有夸大，与顶部散热型分立器件、同类型DIP模块比拟，HSDIP20的电路密度别离到达3倍以上及1.4倍以上。是以，于PFC电路中，HSDIP20的安装面积可比顶部散热型分立器件削减约52%摆布，这类上风可以让OBC等运用实现中电力变化电路小型化。DM4esmc

据先容，HSDIP20的产物声势包括750V耐压的6款机型及1200V耐压的7款机型。该模块已经经在2025年4月最先投入出产，今朝月产10万个，其样品价格1.5万日元/个（不含税）。其前道工序的出产基地为ROHMApolloCO.,LTD.（日本福冈县筑后工场）及蓝碧石半导体宫崎工场（日本宫崎县），后道工序的出产基地为ROHMIntegratedSystems（Thailand）Co.,LTD.（泰国）。DM4esmc

据现场的工程师先容，于封装方面，HSDIP201200V及750V的外部接口彻底同样。于模块内部，采用银烧结的焊接方式，此类焊接方式的导热比力好，选接性比力高、靠得住性强。DM4esmc

除了了SiC模块以外，罗姆还有专门展示了EcoGaN™产物和方案。EcoGaN™是罗姆PowerEcoFamily的一个子品牌，PowerEcoFamily涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四年夜产物群。DM4esmc

EcoGaN™经由过程助力运用产物的节能及小型化，为削减全世界的耗电量及产物用材量孝敬气力。该系列不仅提供GaNHEMT单管，还有涵盖内置节制器和集成GaN的IC等产物，形成从18毫欧到130毫欧导通电阻的完备产物线，笼罩多种封装情势，如DFN8080、TOLL等，满意差别散热与空间需求。DM4esmc

值患上留意的是，罗姆于2006年就最先研发GaN产物，依附多年来为量产靠得住的LED产物开发的基本外延及生长技能，罗姆将其运用在GaNHEMT。历经近20年的连续研发以后，2022年，罗姆初次量产第一代EcoGaN™系列150V耐压的GaNHEMT；2023年4月，罗姆又量产了650V耐压GaNHEMT，至此同时提供了150V及650VGaN分立式器件。DM4esmc

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图4：罗姆EcoGaN™GaNHEMTPowerStageIC系列DM4esmc

EcoGaN™的焦点上风于在其优秀的开关机能（低Ron与低Ciss/Coss），撑持高开关频率运行，从而帮忙电源体系缩小电容、电感体积，实现高功率密度。为解决GaN器件驱动电压低（5V）、易受噪声滋扰的问题，罗姆推出GaNHEMTPowerStageIC，该产物集下一代功率器件GaNHEMT及为了更年夜水平地引发GaNHEMT机能而优化的栅极驱动器在一体，撑持2.5V-30V的宽输入电压规模，可以与各类节制器IC联合利用。这些特色及上风使其可以或许代替超等结MOSFET等传统的分建功率开关。DM4esmc

为进一步晋升集成度，罗姆还有推出“三合一”方案：如PFC节制器+PowerStageIC+GaNdevice，或者QR节制器+GaNdriver+GaNdevice，实现芯片尺寸削减40%以上，并于轻载时经由过程频率调治晋升能效。此外，方案撑持PFC段于待机时封闭，显著降低待机功耗。DM4esmc

EcoGaN™广泛运用在办事器电源、适配器、工业电源等场景，共同PFC与AC/DC转换架构，可笼罩高达240W和以上的电源设计，助力实现高效、紧凑的电力转换体系，呼应罗姆于节能与质料勤俭方面的环保理念。DM4esmc

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图5：罗姆EcoIGBT™（左）及EcoMOS™（右）DM4esmc

除了此以外，罗姆于硅基功率器件范畴还有提供包括功率二极管、MOSFET及IGBT于内的完备产物组合，重点面向工业与车载等高规格运用。DM4esmc

于功率二极管方面，罗姆推出超低反向泄电流的RBxx8系列超低反向泄电流肖特基二极管（SBD），重要是针对于车载运用，好比新能源汽车中的电池包、机电节制机，其事情温度可达175℃，泄电流较平凡产物降低约90%，有用防止车载电池包与机电节制体系于高温情况下呈现热掉控。而YQ系列均衡型SBD经由过程沟槽工艺同步优化正向压降与反向泄电流，改善高频开关损耗，合用在汽车前照灯等升压驱动场景。罗姆还有展示了YQ系列均衡型SBD于汽车前罩灯升压驱动的评估板。DM4esmc

今朝，罗姆的MOSFET产物已经演进至第六代，采用屏蔽栅/分散栅沟槽技能及铜夹板封装，显著降低寄生电容与导通阻抗，晋升开关机能与电流承载能力。产物笼罩低压与高压运用，包括合用在电源电路的YN系列快速开关型超等结MOS（PrestoMOS™，耐压600V/650V），以和集成双通道的N+N/N+P布局MOS，助力三相无刷机电及H桥驱动实现小型化设计。DM4esmc

此中，PrestoMOS™系列产物内置使用罗姆专利技能做成的快速二极管，是专为实现机电和逆变器的节能化而开发的元器件。合用在空调、冰箱、洗衣机、太阳能发电等利用的机电和逆变器电路及图腾柱型PFC电路、LLC电路。DM4esmc

IGBT方面，RGA系列针对于电动压缩机、加热器和工业逆变器设计，具有10µsec.（Tj＝25℃时）短路耐受能力及低至1.6V的导通损耗，撑持三引脚与四引脚封装，四引脚版本可进一步降低开关损耗。DM4esmc

别的，罗姆还有推出集成驱动器与掩护电路的智能功率模块（IPM），具有高精度温度监测与防误装辨认功效，于连结低噪声的同时晋升体系靠得住性，广泛合用在白色家电（如冰箱压缩机）和工业机电驱动范畴。DM4esmc

本次展会，罗姆不仅展示了从革命性的SiC模块、成熟的EcoGaN™平台到完备的硅基功率器件产物组合，更清楚地通报出其致力在经由过程技能立异鞭策全世界节能降耗的企业愿景。不管是晋升单点器件机能，还有是经由过程高度集成的“三合一”方案优化体系级运用，罗姆正以其周全的技能结构及深挚堆集，不停拓展功率半导体的机能界限。可以预感，这些高效、紧凑的功率解决方案将很快落地生根，为从汽车工业到千家万户的各种电子装备，注入更绿色、更强盛的“芯”动力。DM4esmc